P 214 (П 214)

NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

45.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

5.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 214 G

7.95

5.89

4.75

3.52

P 214 A

11.20

8.30

6.70

4.96

P 214 B

9.70

7.19

5.80

4.30

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:44:02