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Datenwartung

SM 104

Mosfet

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

NMOS

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

15.00 V

Strom (IC):

15.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SM 104

8.10

6.00

4.85

3.59

SM 104 S 1

2.45

1.82

0.00

0.00

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

? Du benötigst 5 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 19.07.2024 / 09:09:39