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Datenwartung
SMY 51 |
MOSFET |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | PMOS |
Spannung (UCE) / (UDS): | 31.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 31.00 V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 225.00 mW |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SMY 51 |
7.75 |
5.74 |
4.65 |
3.45 |
SMY 51 S 1 |
1.45 |
1.07 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 19.07.2024 / 09:15:01 |