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für DDR-Bauteile


Datenwartung

BSY 34

Transistor für die Datenverarbeitung

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

40.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

600.00 mA

Leistung (Ptot):

2.60 W

Grenzfrequenz (fT):

250.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 10

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1985

Letzte Bearbeitung: 15.03.2024 / 08:39:07