BSY 34

Transistor für die Datenverarbeitung

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

40.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Strom (I_C):

600.00 mA

Leistung (P_tot):

2.60 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 10

Kompatibel:

BSY 34 -

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:43:16