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Datenwartung

BSY 34

Transistor für die Datenverarbeitung

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

40.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Strom (IC):

600.00 mA

Leistung (Ptot):

2.60 W

Grenzfrequenz (fT):

250.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 10

Kompatibel:

BSY 34 -

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Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:43:16