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Datenwartung
BSY 34 |
Transistor für die Datenverarbeitung |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 40.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 600.00 mA |
Leistung (Ptot): | 2.60 W |
Grenzfrequenz (fT): | 250.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 10 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1985 |
Letzte Bearbeitung: 15.03.2024 / 08:39:07 |