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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 116

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 20.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

90.00 MHz

Kompatibel:

BAW 75 -
BAY 52 -
1 N 138 -


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 116 B

0.92
0.68
0.55
0.41

SC 116 C

1.00
0.74
0.60
0.44

SC 116 D

1.10
0.82
0.66
0.49

SC 116 E

1.20
0.89
0.72
0.53

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30