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Datenwartung
SC 117 |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 30.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 90.00 MHz |
Kompatibel: | BAW 75 - |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 117 B |
0.95 |
0.70 |
0.57 |
0.42 |
SC 117 C |
1.05 |
0.78 |
0.63 |
0.47 |
SC 117 D |
1.15 |
0.85 |
0.69 |
0.51 |
SC 117 E |
1.25 |
0.93 |
0.75 |
0.56 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30 |