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Datenwartung

SC 118

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

750.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

90.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 118 B

1.10
0.82
0.66
0.49

SC 118 C

1.25
0.93
0.75
0.56

SC 118 D

1.35
1.00
0.81
0.60

SC 118 E

1.45
1.07
0.87
0.64

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:46:12