SC 119

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

- 80.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

90.00 MHz

Kompatibel:

BAW 75 -
BAY 52 -
1 N 138 -

Typen in Klammern sind ähnlich!

SC 119 B

1.20

0.89

0.72

0.53

SC 119 C

1.35

1.00

0.81

0.60

SC 119 D

1.45

1.07

0.87

0.64

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30