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Datenwartung

SC 307 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

45.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

50.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

250.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

350.00 MHz

Verstärkung (h21e):

56 - 140

Kompatibel:

BC 307 - - Verschiedene Hersteller

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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 307 C

0.72
0.53
0.43
0.32

SC 307 C-S 1

0.21
0.16
0.00
0.00

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:56:23