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Datenwartung
KT 909 W (KT 809 B) |
Leistungstransistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 60.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.50 V |
Strom (IC): | 2.00 A |
Leistung (Ptot): | 25.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 909 W |
64.00 |
47.42 |
38.40 |
28.45 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 16:32:17 |