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Datenwartung
KT 911 A |
Leistungstransistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 40.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 55.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.00 V |
Strom (IC): | 400.00 mA |
Leistung (Ptot): | 3.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 1000.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 5 - 200 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 911 A |
23.60 |
17.48 |
14.20 |
10.52 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 21:56:18 |