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Datenwartung
SCE 238 D |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 185.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
Kompatibel: | BC 848 - ITT | |
BCW 60 - Siemens | ||
BCW 60 - Telefunken | ||
BCW 31/32/33 - Valvo | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 238 D |
0.87 |
0.64 |
0.52 |
0.39 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1981 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:45:15 |
