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Datenwartung

KT 913 A

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

55.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

55.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

3.50 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

4.70 W

Grenzfrequenz (fT):

900.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 913 A

55.80

41.35

33.50

24.82

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 21:58:52