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Datenwartung

P 103 (П 103)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

10.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KP 103 L

5.60
4.15
3.35
2.48

KP 103 I

4.50
3.33
2.70
2.00

MP 103

5.05
3.74
3.05
2.26

MP 103 A

6.90
5.11
4.15
3.07

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:46:54