P 103 (П 103)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

KP 103 I

4.50

3.33

2.70

2.00

KP 103 L

5.60

4.15

3.35

2.48

MP 103

5.05

3.74

3.05

2.26

MP 103 A

6.90

5.11

4.15

3.07

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:46:54