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Datenwartung

SCE 308 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

145.00 MHz

Verstärkung (h21e):

56 - 140

Kompatibel:

BC 858 - ITT

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BCW 61 - Siemens

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BCW 61 - Telefunken

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BCW 29/30 - Valvo

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SCE 308 C

0.90
0.67
0.54
0.40

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1983 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:05:38