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Datenwartung
P 110 (П 110) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 20.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 3.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
CTP 1108 |
7.55 |
5.59 |
4.55 |
3.37 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:52:17 |