P 609 B (П 609 Б)

pnp-HF-Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.50 V

Strom (I_C):

300.00 mA

Leistung (P_tot):

1.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

120.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 09:32:21