EFT 239

Transistor

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Strom (I_C):

6.00 A

Leistung (P_tot):

45.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 12.08.2024 / 08:33:43