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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
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Datenwartung
SD 335 A |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 45.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.50 A |
Leistung (Ptot): | 12.50 W |
Grenzfrequenz (fT): | 210.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 40 - 100 |
Kompatibel: | BD 135 - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SD 335 A/SD 336 A |
3.80 |
2.82 |
2.30 |
1.70 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:56:23 |
