SD 339 A

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

12.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

125.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 100

Kompatibel:

BD 139 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich!

SD 339 A

2.20

1.63

1.30

0.96

SD 339 A/SD 340 A

5.10

3.78

3.05

2.26

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:20:36