SD 338 A

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

12.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

210.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 100

Kompatibel:

BD 138 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich.

SD 337 A/SD 338 A

4.35

3.22

2.60

1.93

SD 338 A

2.05

1.52

1.25

0.93

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:19:39