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Datenwartung

KPS 202 D (KПC 202 Д)

Feldeffekt-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

NMOS

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Leistung (Ptot):

60.00 mW

Verstärkung (h21e):

0,65

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 14.08.2024 / 09:44:58