KP 201 I (KП 201 K)

Feldeffekt-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

PMOS

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Leistung (P_tot):

60.00 mW

Verstärkung (h_21e):

1,4

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.08.2024 / 08:31:40