KP 312 B (KП 312 Б)

Feldeffekt-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

PMOS

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

25.00 V

Strom (I_C):

25.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Verstärkung (h_21e):

2,0

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.08.2024 / 08:41:15