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Datenwartung

KT 119 A (KT 119 A)

Unijunctiontransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

20.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

60.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

200.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt

1983 ТРАНСИСТОРЫ Transistors Elorg

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.08.2025 / 09:05:07