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Datenwartung

KT 203 W (KT 203 B)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

30 - 200

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 203 W

0.62
0.46
0.37
0.27

KT 203 W

0.84
0.62
0.50
0.37

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 14.11.2024 / 11:07:47