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Datenwartung

SD 347

NF-Transistor (komplementär SD 348)

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

3.00 A

Leistung (Ptot):

20.00 W

Grenzfrequenz (fT):

110.00 MHz

Verstärkung (h21e):

40 - 250

Kompatibel:

(BD 235) - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 347

2.15
1.59
1.30
0.96

SD 347/SD 348

5.05
3.74
3.05
2.26

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:23:58