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Datenwartung

KT 208 E (KT 208 E)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

30.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

150.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

80 - 240

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 208 E

1.80
1.33
1.10
0.82

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 14.11.2024 / 11:18:37