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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
SD 350 |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 80.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 20.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 40 - 250 |
Kompatibel: | (BD 238) - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SD 349/SD 350 |
5.90 |
4.37 |
3.55 |
2.63 |
SD 350 |
2.80 |
2.07 |
1.70 |
1.26 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 20.03.2024 / 08:54:41 |
