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Datenwartung
SD 350 |
NF-Transistor (komplementär SD 349) |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 80.00 V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 20.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 120.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 40 - 250 |
Kompatibel: | (BD 238) - - Verschiedene Hersteller | Amazon | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SD 349/SD 350 |
5.90 |
4.37 |
3.55 |
2.63 |
SD 350 |
2.80 |
2.07 |
1.70 |
1.26 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:24:59 |
