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Datenwartung

KT 366 B (KT 366 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

10.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.50 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

25.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1000.00 MHz

Verstärkung (h21e):

50 - 200

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 20:58:21