KT 626 B (KT 626 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

75.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

30 - 100

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 27.11.2024 / 09:46:54