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Datenwartung

KT 626 B (KT 626 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

6.50 W

Grenzfrequenz (fT):

75.00 MHz

Verstärkung (h21e):

30 - 100

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 27.11.2024 / 09:46:54