KT 809 A

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

400.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

40.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

5.25 MHz

Verstärkung (h_21e):

15 - 100

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 09:50:02