KT 917 A

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

150.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

200.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

10.00 A

Leistung (P_tot):

50.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

10 - 60

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 10:05:21