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Datenwartung

KT 917 A

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

150.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

200.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

10.00 A

Leistung (Ptot):

50.00 W

Grenzfrequenz (fT):

50.00 MHz

Verstärkung (h21e):

10 - 60

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 10:05:21