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Datenwartung

KT 922 B (KT 922 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

65.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.00 V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

20.00 W

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 922 B

57.00

42.24

34.20

25.34

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 16:42:26