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Datenwartung
KT 925 W (KT 925 B) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 36.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 36.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 4.00 V |
Strom (IC): | 3.30 A |
Leistung (Ptot): | 25.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 450.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 925 W |
76.00 |
56.32 |
45.60 |
33.79 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 16:45:39 |