SF 237

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

240.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 21.08.2024 / 08:55:13