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Datenwartung

SD 601

Transistor für Regelnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

50.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.00 V

Strom (IC):

3.00 A

Leistung (Ptot):

10.00 W

Grenzfrequenz (fT):

2.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 20

Kompatibel:

-


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 02.12.2024 / 08:46:22