SD 812

Transistor für Batteriezündanlagen

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

200.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

500.00 V

Strom (I_C):

4.00 A

Leistung (P_tot):

50.00 W

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:05:51