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Datenwartung
SD 812 |
Transistor für Batteriezündanlagen |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | - 200.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 4.00 A |
Leistung (Ptot): | 50.00 W |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1988 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:31 |
