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Datenwartung
SD 812 |
Transistor für Batteriezündanlagen |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 200.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 500.00 V |
Strom (IC): | 4.00 A |
Leistung (Ptot): | 50.00 W |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
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Datenblatt (kurz) | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
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Datenblatt (lang) |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 23.09.2026 / 08:33:45 |