SF 117

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

60.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

28 - 560

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

SF 117 B

2.75

2.04

1.65

1.22

SF 117 C

2.85

2.11

1.70

1.26

SF 117 D

3.00

2.22

1.80

1.33

SF 117 E

3.10

2.30

1.85

1.37

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 09:45:28