SF 119

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

60.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

28 - 560

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

SF 119 B

3.50

2.59

2.10

1.56

SF 119 C

3.75

2.78

2.25

1.67

SF 119 D

3.85

2.85

2.30

1.70

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 09:46:18