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Datenwartung
SF 225 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 25.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 500.00 MHz |
Kompatibel: | BF 241 - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 225 |
1.60 |
1.19 |
0.96 |
0.71 |
SF 225 S 1 |
0.48 |
0.36 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:08:09 |
