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Datenwartung

SF 225

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

40.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.00 V

Strom (IC):

25.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

500.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 40

Kompatibel:

BF 241 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 225

1.60
1.19
0.96
0.71

SF 225 S 1

0.48
0.36
0.00
0.00

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 09:50:59