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Datenwartung

SF 358

Transistor für Video und NF

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

250.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

250.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

6.00 W

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 25

Kompatibel:

BF 458 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 358

3.85
2.85
2.30
1.70

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1980 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 16:17:32