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Datenwartung

SF 369

Transistor für Videoendstufen

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bild:

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

250.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

250.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

30.00 mA

Leistung (Ptot):

2.00 W

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 50

Kompatibel:

BF 469 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 369

4.10

3.04

2.45

1.82

SF 369 S 1

0.98

0.00

0.00

0.00

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:51:28