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Datenwartung
SFE 235 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 25.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 40.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 4.00 V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 750.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 28 |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SFE 235 |
1.75 |
1.30 |
1.05 |
0.78 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:45:08 |