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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SU 167

npn-Transistor für Schaltnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

325.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

10.00 A

Leistung (Ptot):

100.00 W

Grenzfrequenz (fT):

6.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 15

Kompatibel:

BU 326 - Telefunken

Google

BUX 80 - Valvo

Google

BUY 69 C - Texas Instruments

Google


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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SU 167

9.10
6.74
5.45
4.04

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1985

Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:25:01