SU 186

npn-Transistor für Schaltnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

125.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

160.00 V

Strom (I_C):

15.00 A

Leistung (P_tot):

150.00 W

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 17:12:09