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Datenwartung

SAY 32

Schalter- u. Universaldiode

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Wilhelm Pieck" Mühlhausen, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (UR):

25.00 V

Durchlassgleichstrom (IF):

50.00 mA

Verlustleistung (Ptot):

150.00 mW

Kompatibel:

BA 217 -

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BAY 32 -

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1 N 813 -

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BA 217 -
BAY 32 -
1 N 813 -


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SAY 32

0.30
0.22
0.18
0.13

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1967 - RFT Halbleiter


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1967 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:29:13