BSX 12

Transistor

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

12.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

25.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

1000.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

450.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

30 - 120

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.11.2024 / 10:29:24