KT 333 G (KT 333 Г)

Planar-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

10.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

3.50 V

Strom (I_C):

45.00 mA

Leistung (P_tot):

15.00 mW

Verstärkung (h_21e):

30 - 90

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 05.11.2024 / 09:14:13