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Datenwartung

KT 630 E (KT 630 E)

Schalttransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

150.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

150.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

7.00 V

Strom (IC):

1.00 A

Leistung (Ptot):

800.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

50.00 MHz

Verstärkung (h21e):

130 - 650

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 630 E

3.00
2.22
1.80
1.33

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 06.11.2024 / 10:08:54